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IXFC 36N50P
IXFR 36N50P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
ISOPLUS220 TM (IXFC) Outline
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 20 V; I D = T , Note 1
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
23
35
5500
510
40
29
S
pF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 I D25
R G = 4 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
23
82
23
93
30
31
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Note:
Bottom heatsink (Pin 4) is
electrically isolated from Pin
1,2, or 3.
R thJC
0.75 ° C/W
R thCS
(ISOPLUS 247)
(ISOPLUS 220)
0.15
0.21
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
I RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V; V GS = 0 V
8
36
100
1.5
200
A
A
V
ns
A
ISOPLUS247 Outline
Ref: IXYS CO 0177 R0
Q RM
Notes:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %;
2. Test current I T = 18A.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
0.6
μ C
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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